VBsemi(微碧半导体)Китай
TO220；N—Channel沟道,600V；8A；RDS(ON)=780mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток600 V
Постоянный ток стока8 A
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 连续漏极电流(Id) | 8A |
| Другое | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 170W |