HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
【联系：sales@hxymos.com】该N沟道场效应管具备70安培连续漏极电流与100伏漏源耐压，导通电阻低至8.2毫欧，栅源电压额定值为20伏。低内阻特性显著降低导通损耗，适用于大电流直流电源转换、高性能电机驱动及电池保护电路。在同步整流拓扑或负载开关应用中，该器件能提供高效的功率传输能力，确保系统在高负载条件下维持稳定的电气性能与热管理表现。
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Постоянный ток стока70 A
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | TO-252-2L |
| Другое | |
| ID | 70A |
| RDON | 8.2mR |
| TYPE | N沟道 |
| VDSS | 100V |
| VGS | 20V |