Поиск аналогов электронных компонентов

Результаты поиска:BLP13N10L-R

Найдено: 1
  • С даташитом1
  • Производителей1

Результаты поискаВсего: 1

СравнитьПартномерПроизводительКатегорияОписаниеДокументыАналоги
Single FETs, MOSFETs

BLP13N10L, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench Ⅱ technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for Synchronous rectification and high speed switching applications.

Даташит1

Не нашли нужный компонент?

ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.