Результаты поиска:NDS332P
Найдено: 7- С даташитом7
- Производителей6
Результаты поискаВсего: 7
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит9 | |||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит1 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | NDS332P MOS管，采用紧凑型SOT-23封装形式，内建P沟道结构，性能卓越。该器件具有20V的最高漏源击穿电压(VDSS)，能在安全电压范围内稳定工作，同时提供高达2.3A的连续漏极电流(ID)，确保强大驱动能力。尤其值得关注的是其超低导通电阻RD(on)仅120mR，显著降低了功率损耗并提升了整体系统效能。适用于电源管理、开关调节等电路设计，是您实现高效能应用的理想之选。 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 应用于便携式设备负载开关、DC/DC转换器。 | Даташит8 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V； | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.