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MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3

P沟道增强型MOSFET，适用于负载/电源开关、接口开关和逻辑电平转换

台积电流片，长电科技封装；是一款单极性的功率场效应管，采用Trench工艺制造，适合于空间有限的应用场合。SC70-3；P—Channel沟道,-20V；-3.1A；RDS(ON)=80mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.45~-1.5V；

RZF013P01TL 是一款高可靠性P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-323封装，专为小型化及高效能电子设备设计。器件具备20V的最大漏源电压(VDSS)，并可稳定传输1.8A的连续漏极电流(ID)，其120mΩ的导通电阻(RD(on))保障了在低功耗条件下的良好能效表现。广泛应用于电源管理、负载开关控制、电池保护系统等领域，是打造节能型、紧凑电子解决方案的理想半导体组件。