VBsemi(微碧半导体)Китай
5N50L-TN3-R-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleTO252；N—Channel沟道,650V；5A；RDS(ON)=950mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2~4V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток650 V
Постоянный ток стока5 A
Сопротивление в открытом состоянии950 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 5A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 205W |