YTL(亚特联)Китай
N和P沟道增强型MOSFET，低导通电阻、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏，无铅且符合RoHS标准
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN + P
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока3.3 ~ 4.6 A
Сопротивление в открытом состоянии83 mΩМакс. · 10V，10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A；4.6A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 83mΩ@10V；34mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.