VBsemi(微碧半导体)Китай
IXTH26P20P-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；TO247；P—Channel沟道；-100V；-21A；RDS(ON)=200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2V；采用Trench技术；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Технические параметры этого компонента пока не указаны.