Lewa Micro(乐瓦微电子)Китай
LWD6001AS
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN+P沟道功率MOSFET，采用沟槽技术，具有低栅极电荷和导通电阻，开关速度快
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN + P
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока5 ~ 6 A
Сопротивление в открытом состоянии35 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；5A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.