Lewa Micro(乐瓦微电子)Китай
LWN2005AS
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN沟道功率MOSFET，采用沟槽技术，低栅极电荷和导通电阻，适用于多种应用
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока20 A
Сопротивление в открытом состоянии3.4 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.