VBsemi(微碧半导体)Китай
SSF2610E-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleSOP8；2个N—Channel沟道,20V；10A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=0.5~1V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока10 A
Сопротивление в открытом состоянии12 mΩМакс. · 2.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@2.5V |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W |