VBsemi(微碧半导体)Китай
TO220；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток200 V
Постоянный ток стока30 A
Сопротивление в открытом состоянии110 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |