VBsemi(微碧半导体)Китай
UT3N01ZL-AE2-R-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleSOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока250 mA
Сопротивление в открытом состоянии2.8 ΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |