VBsemi(微碧半导体)Китай
UT3N06L-AE3-R-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleSOT23；N—Channel沟道,60V；4A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока4 A
Сопротивление в открытом состоянии86 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 86mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 1.66W |