VBsemi(微碧半导体)Китай
台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺，适用于广泛的领域和模块。SOP8；P—Channel沟道,-100V；-2.5A；RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока2.5 A
Сопротивление в открытом состоянии160 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V,2A |
| 数量 | 1个P沟道 |