VBsemi(微碧半导体)Китай
VBMB2152M
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleTO220F；P—Channel沟道,-150V；-15A；RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток150 V
Сопротивление в открытом состоянии200 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V |
| 数量 | 1个P沟道 |