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电压:20V 电流:1A

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为20V，正向压降（VF）低至0.45V，在20V反向电压下漏电流（IR）不超过1000μA。器件具备高达25A的正向浪涌电流（IFSM）承受能力，适用于低压整流、电源转换、电池充放电管理及高频开关电路等应用，其低导通压降有助于提升系统效率并减少热损耗。

BAT760

DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323

DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323

DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323

DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323

DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323

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【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达20V。其正向压降（VF）典型值为0.45V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为1000μA。器件可承受高达25A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压高频电路等场景。

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和20V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.45V，有助于在导通状态下维持较低功耗；反向漏电流（IR）为1000μA。器件可承受峰值达25A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低压电源整流、高频开关电路、信号钳位及电池供电设备中的反向保护等应用场合。