Результаты поиска:NDS331N
Найдено: 9- С даташитом8
- Производителей8
Результаты поискаВсего: 9
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 | Даташит3 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит6 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит3 | |||||
| Single FETs, MOSFETs | Даташит1 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | N沟道,20V,4.0A,,23.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。 | Даташит4 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流高达2.3A。器件具备低导通电阻和卓越开关性能，广泛应用在充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效、稳定的功率控制与管理。 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит7 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V； | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.